PSMN1R4-100ASEJ
制造商: NEXPERIA USA INC.
分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管
描述: 表面贴装型 N 通道 100 V 340A（Tc） 935W（Tc） CCPAK1212
物料参数
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 340A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.36 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.6V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 366 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 26023 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 935W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 等级: | - |
| 资质: | - |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | CCPAK1212 |
| 封装/外壳: | 12-BESOP（0.370，9.40mm 宽），裸焊盘 |